Name: IPD78CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD78CN10NGATMA1TR-ND
Price: 1.2423 EUR
Availability: InStock

IPD78CN10NGATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD78CN10NGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD78CN10NGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD78CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD78CN10NGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD78CN10NGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	78mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 12µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	716 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	31W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD78CN10

Preço unitário sem VAT:	1,01000 €
Preço unitário com VAT:	1,24230 €

IPD78CN10NGATMA1