Name: IPN60R360PFD7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPN60R360PFD7SATMA1TR-ND
Price: 1.7343 EUR
Availability: InStock

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IPN60R360PFD7SATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPN60R360PFD7SATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPN60R360PFD7SATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPN60R360PFD7SATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPN60R360PFD7SATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 140µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12.7 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™PFD7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 534 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 7W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-SOT223-3-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-261-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPN60R
Rds on (máx.) para Id, Vgs 360mOhm a 2,9A, 10V