Canal N 800 V 8A (Tc) 7,4W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 800 V 8A (Tc) 7,4W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R600P7ATMA1

Número de produto da DigiKey
IPN80R600P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
IPN80R600P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
IPN80R600P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPN80R600P7ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 800 V 8A (Tc) 7,4W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPN80R600P7ATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
600mOhm a 3,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 170µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
570 pF @ 500 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
7,4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-SOT223
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
11,85000 €1,85 €
101,17900 €11,79 €
1000,79550 €79,55 €
5000,63122 €315,61 €
1 0000,57838 €578,38 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,45089 €1 352,67 €
6 0000,43811 €2 628,66 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,85000 €
Preço unitário com VAT:2,27550 €