IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPTG111N20NM3FDATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPTG111N20NM3FDATMA1
Descrição	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 3
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,1mOhm a 96A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 267µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7000 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOG-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSMD, asa de gaivota
Número base de produto	IPTG111N

IPTG111N20NM3FDATMA1