Name: IQD016N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 6.4821 EUR
Availability: InStock

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IQD016N08NM5SCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQD016N08NM5SCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQD016N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQD016N08NM5SCATMA1
Descrição	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-WHSON-8-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQD016N08NM5SCATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,57mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 159µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 133 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 9200 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 31A (Ta), 323A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHSON-8-U02
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8