Name: IQDH45N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 3.3702 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-U02

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IQDH45N04LM6CGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQDH45N04LM6CGATMA1
Descrição	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQDH45N04LM6CGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 1,449mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 129 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 6	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 12000 pF @ 20 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TTFN-9-U02
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Ta), 637A (Tc)	Pacote / Invólucro 9-PowerTDFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IQDH45
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,45mOhm a 50A, 10V