Name: IQDH45N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 5.2521 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-WHSON-8-U02

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IQDH45N04LM6SCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQDH45N04LM6SCATMA1
Descrição	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-WHSON-8-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQDH45N04LM6SCATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,49mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 1,449mA
Séries OptiMOS™ 6	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 12000 pF @ 20 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHSON-8-U02
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8