Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.0996 EUR
Availability: InStock

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Tempo de espera previsto do fabricante	39 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	15 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 7V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,45mOhm para 30A, 7V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 432µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (máx.)	±7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6240 pF @ 7.5 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta) 89W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-WHTFN-9
Pacote / Invólucro	9-PowerWDFN