Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.8622 EUR
Availability: InStock

Canal N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Descrição	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,58mOhm a 20A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 82 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±16V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5453 pF @ 12 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta) 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHTFN-9-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 9-PowerWDFN