Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.7478 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE046N08LM5CGSCATMA1
Descrição	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE046N08LM5CGSCATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 47µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 38 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3250 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHTFN-9
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Pacote / Invólucro 9-PowerWDFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IQE046
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,6mOhm a 20A, 10V