IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRF1010ZSTRLPBF
Número de produto da DigiKey	IRF1010ZSTRLPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF1010ZSTRLPBFCT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF1010ZSTRLPBF
Descrição	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	55 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7,5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2840 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	140W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IRF1010