TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRF1310NSTRRPBF

Número de produto da DigiKey
IRF1310NSTRRPBF-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
IRF1310NSTRRPBF
Descrição
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
HEXFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
36mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1900 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,8W (Ta), 160W (Tc)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
D2PAK
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Perguntas e respostas sobre o produto

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