Name: ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC016N08NM8SCATMA1TR-ND
Price: 7.4169 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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ISC016N08NM8SCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC016N08NM8SCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC016N08NM8SCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC016N08NM8SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC016N08NM8SCATMA1
Descrição	ISC016N08NM8SCATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 29A (Ta), 269A (Tc) 263W (Tc) Montagem em superfície PG-WSON-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,54mOhm a 50A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 111µA
Séries OptiMOS™ 8	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 99 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7200 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 263W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 29A (Ta), 269A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WSON-8-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 15V	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8