Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 4.1451 EUR
Availability: InStock

Novo produto

Canal N 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-43

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ISC019N08NM7ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies Americas Corp.
Número de produto do fabricante	ISC019N08NM7ATMA1
Descrição	ISC019N08NM7ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-43
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,9mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (máx.) para Id 3,2V a 87µA
Séries OptiMOS™ 7	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5633 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 26A (Ta), 209A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-43
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8