Name: ISC027N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC027N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.0061 EUR
Availability: InStock

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ISC027N10NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC027N10NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC027N10NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC027N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC027N10NM6ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 23A (Ta), 192A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8 FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISC027N10NM6ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,3V a 116µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 72.5 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 6	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5500 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8 FL
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 23A (Ta), 192A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Número base de produto ISC027N
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,7mOhm a 50A, 10V