Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 7.7244 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Número de produto da DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMTSC1D6N10MCTXG
Descrição	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta) 291W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 8-TDFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Ta), 267A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 650µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7630 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5,1W (Ta) 291W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TDFNW (8,3x8,4)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	NTMTSC1