Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 8.4378 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Número de produto da DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMTSC1D6N10MCTXG
Descrição	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	45 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta) 291W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 8-TDFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 106 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7630 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 5,1W (Ta) 291W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TDFNW (8,3x8,4)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 90A, 10V	Número base de produto NTMTSC1
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 650µA