Cascata MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
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Cascata MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0614N06NM5HSCATMA1

Número de produto da DigiKey
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Descrição
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Tempo de espera previsto do fabricante
25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
OptiMOS™ 5
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
31A (Ta), 233A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,3V a 86µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
102nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6400pF a 30V
Potência - Máx.
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
10-PowerWDFN
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-WHITFN-10-1
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Quantidade
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
14,54000 €4,54 €
103,02000 €30,20 €
1002,15890 €215,89 €
5002,07118 €1 035,59 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0001,69215 €5 076,45 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:4,54000 €
Preço unitário com VAT:5,58420 €
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