Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 6.3714 EUR
Availability: InStock

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ISG0614N06NM5HATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISG0614N06NM5HATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-VITFN-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISG0614N06NM5HATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,6mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,3V a 86µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 102nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6400pF a 30V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Configuração 2 canais N (meia ponte)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-10
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-VITFN-10-1