10 Power-WHITFN-10-1
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0616N10NM5HSCATMA1

Número de produto da DigiKey
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Descrição
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Tempo de espera previsto do fabricante
18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
19A (Ta), 139A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,8V a 85µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
78nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4800pF a 50V
Potência - Máx.
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
10-PowerWDFN
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-WHITFN-10-1
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
14,88000 €4,88 €
103,25800 €32,58 €
1002,33880 €233,88 €
5002,27952 €1 139,76 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0001,86235 €5 587,05 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:4,88000 €
Preço unitário com VAT:6,00240 €