Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4846 EUR
Availability: InStock

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SIZF4800LDT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZF4800LDT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície PowerPAIR® 3x3FS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	19mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	950pF a 40V
Potência - Máx.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	12-PowerPair™
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAIR® 3x3FS