Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 2.9274 EUR
Availability: InStock

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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Descrição	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8 FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 36µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2300 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8 FL
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8