Name: ISZ75DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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ISZ75DP15LMATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISZ75DP15LMATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISZ75DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISZ75DP15LMATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	14 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 150 V 1,13A (Ta), 5,1A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-26
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISZ75DP15LMATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,13A (Ta), 5,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	750mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 543µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1100 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8-26
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8