SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

SPB100N03S2-03 G está descontinuado e não é mais comercializado pela DigiKey.

Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

Infineon Technologies

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SPB100N03S2-03 G
Número de produto da DigiKey	SPB100N03S2-03G-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPB100N03S2-03 G
Descrição	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7020 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SPB100N