Name: IXFH18N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFH18N65X2-ND
Price: 3.61882 EUR
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

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IXFH18N65X2
Número de produto da DigiKey	238-IXFH18N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXFH18N65X2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	HiPerFET™, Ultra X2
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	200mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1520 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	290W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247 (IXTH)
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IXFH18

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
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