
IXFN120N65X2 | |
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Número de produto da DigiKey | IXFN120N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFN120N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 24mOhm a 54A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,5V a 8mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 225 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 15500 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 890W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227B | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 1 | 38,77000 € | 38,77 € |
| 10 | 29,13100 € | 291,31 € |
| 100 | 26,96680 € | 2 696,68 € |
| Preço unitário sem VAT: | 38,77000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 47,68710 € |


