
IXFT50N85XHV | |
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Número de produto da DigiKey | 238-IXFT50N85XHV-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFT50N85XHV |
Descrição | MOSFET N-CH 850V 50A TO268 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Montagem em superfície TO-268HV (IXFT) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IXFT50N85XHV Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 850 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 105mOhm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,5V a 4mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 152 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4480 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 890W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-268HV (IXFT) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 1 | 16,96000 € | 16,96 € |
| 30 | 10,63967 € | 319,19 € |
| 120 | 9,53233 € | 1 143,88 € |
| Preço unitário sem VAT: | 16,96000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 20,86080 € |



