


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFY8N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 790 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 150W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 450mOhm a 4A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18 928 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | 0,99000 € | Similar |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4 126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | 1,95000 € | Similar |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11 376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | 2,27000 € | Similar |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4 098 | 497-13352-1-ND | 3,74000 € | Similar |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | 2,97000 € | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,65000 € | 3,65 € |
| 70 | 1,78057 € | 124,64 € |
| 140 | 1,62229 € | 227,12 € |
| 560 | 1,37718 € | 771,22 € |
| 1 050 | 1,29115 € | 1 355,71 € |
| 2 030 | 1,26539 € | 2 568,74 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,65000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 4,48950 € |

