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Produto do Mercado
IXTN22N100L está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
Substitutos disponíveis:
Similar
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IXTN22N100L | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXTN22N100L-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTN22N100L |
Descrição | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 32 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1000 V 22A (Tc) 700W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 600mOhm a 11A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 270 nC @ 15 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 7050 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 700W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227B | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
0 em estoque
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 49,62000 € | 49,62 € |
| 10 | 37,82500 € | 378,25 € |
| 100 | 36,52150 € | 3 652,15 € |
| Preço unitário sem VAT: | 49,62000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 61,03260 € |
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