Name: IXTP12N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXTP12N65X2-ND
Price: 2.11588 EUR
Availability: OutOfStock

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Equivalente paramétrico

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IXTP12N65X2
Número de produto da DigiKey	IXTP12N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTP12N65X2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	Ultra X2
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	300mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1100 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	180W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IXTP12

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
300	1,72023 €	516,07 €

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