APT47N65BC3G Microsemi Corporation | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

APT47N65BC3G
Número de produto da DigiKey	150-APT47N65BC3G-ND
Fabricante	Microsemi Corporation
Número de produto do fabricante	APT47N65BC3G
Descrição	MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Furo passante TO-247 [B]
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Microsemi Corporation
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	70mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 2,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7015 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247 [B]
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	APT47N65

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