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Rohm Semiconductor
Em estoque: 1 829
Preço unitário : 1,42000 €
Ficha técnica
Canal N 60 V 3,4A (Ta), 10,6A (Tc) 2W (Ta), 18,8W (Tc) Montagem em superfície DFN2020MD-6
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 60 V 3,4A (Ta), 10,6A (Tc) 2W (Ta), 18,8W (Tc) Montagem em superfície DFN2020MD-6
Automotive DFN Packages
Quick Learning: Increasing thermal capability in Small signal MOSFETs

BUK6D77-60EX

Número de produto da DigiKey
1727-8658-2-ND - Fita e carretel (TR)
1727-8658-1-ND - Fita cortada (CT)
1727-8658-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
BUK6D77-60EX
Descrição
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 60 V 3,4A (Ta), 10,6A (Tc) 2W (Ta), 18,8W (Tc) Montagem em superfície DFN2020MD-6
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
9.2 nC @ 10 V
Fabricante
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
305 pF @ 30 V
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 18,8W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia
Grau
Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60 V
Qualificação
AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Invólucro do dispositivo fornecido
DFN2020MD-6
Rds on (máx.) para Id, Vgs
77mOhm a 3,4A, 10V
Pacote / Invólucro
Vgs(th) (máx.) para Id
2,7V a 250µA
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (1)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
RF7L120BKFRATCRRohm Semiconductor1 829846-RF7L120BKFRATCRCT-ND1,42000 €Similar
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