Name: PSMN1R3-100ASFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R3-100ASFJTR-ND
Price: 9.0897 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R3-100ASFJ
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN1R3-100ASFJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN1R3-100ASFJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN1R3-100ASFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R3-100ASFJ
Descrição	NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 400A (Ta) 1,071kW (Tc) Montagem em superfície CCPAK1212
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 248 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 17737 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,071kW (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 400A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido CCPAK1212
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro 12-BESOP (largura 0,370", 9,40mm), pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,3mOhm a 25A, 10V