Name: PSMN1R8-40YLC,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1052-2-ND
Price: 3.0012 EUR
Availability: OutOfStock

PSMN1R8-40YLC,115 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.

Substitutos disponíveis:

Direct

onsemi

Em estoque: 0

Preço unitário : 2,38000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PSMN1R8-40YLC,115
Número de produto da DigiKey	1727-1052-2-ND - Fita e carretel (TR) 1727-1052-1-ND - Fita cortada (CT) 1727-1052-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R8-40YLC,115
Descrição	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 100A (Tc) 272W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	PSMN1R8-40YLC,115 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,95V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6680 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	272W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Invólucro	SC-100, SOT-669
Número base de produto	PSMN1R8