Name: PSMN4R8-100BSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1103-2-ND
Price: 6.4944 EUR
Availability: InStock

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PSMN4R8-100BSEJ
Número de produto da DigiKey	1727-1103-2-ND - Fita e carretel (TR) 1727-1103-1-ND - Fita cortada (CT) 1727-1103-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN4R8-100BSEJ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	PSMN4R8-100BSEJ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	14400 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	405W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	PSMN4R8