Name: PMCM6501VPEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Price: 0.65864 EUR
Availability: InStock

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PMCM6501VPEZ
Número de produto da DigiKey	2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Fabricante	NXP Semiconductors
Número de produto do fabricante	PMCM6501VPEZ
Descrição	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 6,2A (Ta) 556mW (Ta), 12,5W (Tc) Montagem em superfície 6-WLCSP (1,48x0,98)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	NXP Semiconductors
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 3A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 6 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	556mW (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-WLCSP (1,48x0,98)
Pacote / Invólucro	6-XFBGA, WLCSP