NX3008NBKMB315 NXP USA Inc. | Produtos semicondutores discretos

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NX3008NBKMB315
Número de produto da DigiKey	2156-NX3008NBKMB315-ND
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de produto do fabricante	NX3008NBKMB315
Descrição	NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2,7W (Tc) Montagem em superfície DFN1006B-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	NXP USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	530mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,4Ohm a 350mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	50 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	360mW (Ta), 2,7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DFN1006B-3
Pacote / Invólucro	SC-101, SOT-883