NTMFS4H01NFT1G onsemi | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTMFS4H01NFT1G
Número de produto da DigiKey	NTMFS4H01NFT1G-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMFS4H01NFT1G
Descrição	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 54A (Ta), 334A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	54A (Ta), 334A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,7mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5538 pF @ 12 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NTMFS4