Name: FCD7N60TM-WS
Brand: onsemi
SKU: FCD7N60TM-WSTR-ND
Price: 3.444 EUR
Availability: InStock

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FCD7N60TM-WS
Número de produto da DigiKey	FCD7N60TM-WSTR-ND - Fita e carretel (TR) FCD7N60TM-WSCT-ND - Fita cortada (CT) FCD7N60TM-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCD7N60TM-WS
Descrição	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCD7N60TM-WS Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 30 nC @ 10 V
Séries SuperFET™	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 920 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FCD7N60
Rds on (máx.) para Id, Vgs 600mOhm a 3,5A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (8)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
FCD7N60TM	onsemi	4 058	FCD7N60TMCT-ND	2,90000 €	Equivalente paramétrico
SIHD7N60E-GE3	Vishay Siliconix	30	SIHD7N60E-GE3-ND	2,49000 €	Similar
SPD07N60C3ATMA1	Infineon Technologies	2 193	448-SPD07N60C3ATMA1CT-ND	2,54000 €	Similar
STD10N60M2	STMicroelectronics	3 547	497-13937-1-ND	1,51000 €	Similar
STD10NM60N	STMicroelectronics	3 085	497-10021-1-ND	3,42000 €	Similar