Name: FCMT125N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT125N65S3OSTR-ND
Price: 7.2693 EUR
Availability: InStock

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FCMT125N65S3
Número de produto da DigiKey	FCMT125N65S3OSTR-ND - Fita e carretel (TR) FCMT125N65S3OSCT-ND - Fita cortada (CT) FCMT125N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCMT125N65S3
Descrição	MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Montagem em superfície PQFN-4 (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCMT125N65S3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	SuperFET® III
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	125mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 590µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1920 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	181W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PQFN-4 (8x8)
Pacote / Invólucro	PowerTSFN-4
Número base de produto	FCMT125