FDD8880 onsemi | FET simples, MOSFETs

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDD8880
Número de produto da DigiKey	FDD8880TR-ND - Fita e carretel (TR) FDD8880CT-ND - Fita cortada (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD8880
Descrição	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDD8880 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 31 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1260 pF @ 15 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 55W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13A (Ta), 58A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto FDD888
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9mOhm a 35A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
PJD55N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD55N03_L2_00001TR-ND	0,16665 €	Similar
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	0,56568 €	Similar
XP3N9R5AH	YAGEO XSEMI	987	5048-XP3N9R5AHCT-ND	0,51000 €	Similar