FDS6576 onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDS6576 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Panjit International Inc.

Em estoque: 1 302

Preço unitário : 0,88000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDS6576
Número de produto da DigiKey	FDS6576TR-ND - Fita e carretel (TR) FDS6576CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS6576
Descrição	MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 11A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14mOhm a 11A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4044 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	FDS65