Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 1.5744 EUR
Availability: InStock

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FDT86113LZ
Número de produto da DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Fita e carretel (TR) FDT86113LZCT-ND - Fita cortada (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDT86113LZ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 3,3A (Tc) 2,2W (Ta) Montagem em superfície SOT-223-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDT86113LZ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 3,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	315 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223-4
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	FDT86113