Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 3.0627 EUR
Availability: InStock

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FQB22P10TM
Número de produto da DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB22P10TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB22P10TM
Descrição	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 22A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 50 nC @ 10 V
Séries QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1500 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,75W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 22A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FQB22P10
Rds on (máx.) para Id, Vgs 125mOhm a 11A, 10V