Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 1.7712 EUR
Availability: InStock

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FQD19N10LTM
Número de produto da DigiKey	FQD19N10LTMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Fita cortada (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQD19N10LTM
Descrição	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	14 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 15,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 18 nC @ 5 V
Séries QFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 870 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15,6A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V	Número base de produto FQD19N10
Rds on (máx.) para Id, Vgs 100mOhm a 7,8A, 10V