Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 5.535 EUR
Availability: InStock

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HGT1S10N120BNST
Número de produto da DigiKey	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Fita e carretel (TR) HGT1S10N120BNSTCT-ND - Fita cortada (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	HGT1S10N120BNST
Descrição	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Referência do cliente
Descrição detalhada	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs IGBTs individuais
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de IGBT	NPT
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	35 A
Corrente - Pulsada do coletor (Icm)	80 A
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic	2,7V a 15V, 10A
Potência - Máx.	298 W
Energia de chaveamento	320µJ (lig), 800µJ (desl)
Tipo de entrada	Padrão
Carga na porta	100 nC
Td (on/off) a 25°C	23ns/165ns
Condição de teste	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Número base de produto	HGT1S10