Canal N 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montagem em superfície 8-HPSOF
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NTBL023N065M3S

Número de produto da DigiKey
488-NTBL023N065M3S-ND
Fabricante
onsemi
Número de produto do fabricante
NTBL023N065M3S
Descrição
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montagem em superfície 8-HPSOF
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
77A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
32,6mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
69 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1950 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
312W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HPSOF
Pacote / Invólucro
8-PowerSFN
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Quantidade
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Granel
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113,60000 €13,60 €
109,60200 €96,02 €
1007,35050 €735,05 €
5007,18128 €3 590,64 €
Preço unitário sem VAT:13,60000 €
Preço unitário com VAT:16,72800 €
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