Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTMT045N065SC1TR-ND
Price: 13.3086 EUR
Availability: InStock

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NTMT045N065SC1
Número de produto da DigiKey	5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMT045N065SC1
Descrição	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montagem em superfície 4-TDFN (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	105 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1870 pF @ 325 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	187W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	4-TDFN (8x8)
Pacote / Invólucro	PowerTSFN-4
Número base de produto	NTMT045