Canal N 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície 8-HPSOF
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NTBL032N065M3S

Número de produto da DigiKey
488-NTBL032N065M3S-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NTBL032N065M3S
Descrição
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Tempo de espera previsto do fabricante
21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície 8-HPSOF
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
44mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 7,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1396 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HPSOF
Pacote / Invólucro
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
17,21000 €7,21 €
104,91800 €49,18 €
1003,61930 €361,93 €
5003,13946 €1 569,73 €
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