Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.5412 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTE4151PT1G
Número de produto da DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTE4151PT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTE4151PT1G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Montagem em superfície SC-89-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTE4151PT1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	760mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	360mOhm a 350mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	156 pF @ 5 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	313mW (Tj)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-89-3
Pacote / Invólucro	SC-89, SOT-490
Número base de produto	NTE4151

Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Em estoque: 77 282

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)