Name: SI1013CX-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1013CX-T1-GE3TR-ND
Price: 0.4182 EUR
Availability: InStock

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SI1013CX-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI1013CX-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI1013CX-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI1013CX-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI1013CX-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Montagem em superfície SC-89-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	450mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	760mOhm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	45 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	190mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-89-3
Pacote / Invólucro	SC-89, SOT-490
Número base de produto	SI1013

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